【摘 要】
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飞兆半导体公司宣布其MicroFET现推出行业领先的薄型封装版本,帮助设计人员提升其设计性能。飞兆半导体与设计工程师和采购经理合作,开发了集成式P沟道PowerTrench MOSFET与
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飞兆半导体公司宣布其MicroFET现推出行业领先的薄型封装版本,帮助设计人员提升其设计性能。飞兆半导体与设计工程师和采购经理合作,开发了集成式P沟道PowerTrench MOSFET与肖特基二极管器件FDFMA2P859T,利用单一封装解决方案,满足对电池充电和功率多工应用至关重要的效率和热
Fairchild Semiconductor Inc. announced that its MicroFET is introducing an industry-leading, low-profile package to help designers improve their design performance. Fairchild Semiconductor, in collaboration with design engineers and purchasing managers, has developed the integrated P-channel PowerTrench MOSFET and the Schottky diode device FDFMA2P859T to address the efficiencies and thermal issues associated with battery charging and power-multiplex applications with a single package solution
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To improve the quality of afforestation, we must standardize, all aspects are indispensable.
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