晶种对自增韧氮化硅陶瓷热导率的影响

• 作 者: 冯万栋 刘雅政 杨晓战 李建保
• 机 构: 北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083 清华大学,新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北
• 出 处: 第十三届全国高技术陶瓷学术年会
• 发表日期: 2004年4期
• 关键词: α-Si3N4晶种 Si3N4陶瓷 热导率 自增韧 热压烧结 轧辊

　　本文将制备的β-Si3N4晶种(添加剂为Yb2O3)加入到α-Si3N4起始原料中,经热压烧结获得试样.在相同的烧结条件下,与未添加晶种时的氮化硅相比,加入8﹪的晶种后氮化硅的热导率在各温度点高出3W.m-1.K-1～5W.m-1.K-1.随着温度的升高,两者的热导率均明显降低.当温度从室温升至1200℃时,未添加晶种的氮化硅的热导率从36.2W.m-1.K-1下降到7.74W.m-1.K-1;添加了晶种的氮化硅热导率从40.1W.m-1.K-1下降到10.4W.m-1.K-1.同时,利用XRD和SEM分别对热压试样的相组成和显微结构进行了分析.