基于压电双晶片的测量薄膜应变的膨胀仪

来源 :武汉大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:newnew111
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研制了一种基于压电双晶片的高灵敏度膨胀仪,它能够在较宽的频率范围内(1~103Hz),可靠、方便地测量自由状态下又薄又软的共聚物薄膜厚度方向的电场致应变.测试结果证明这种新型的膨胀仪在频率为100Hz时能探测低至0.1 nm的位移.最后测量了一种共聚物薄膜的电场致应变.
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