【摘 要】
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本文介绍高速度、高密度的双极型发射极耦合注入逻辑的发展,采用改进了的工艺来实现EECL。利用小的肖特基管并将它们合并成内部电流源,发射极耦合注入逻辑(ECIL)门是一个小的
【机 构】
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lmnstitutfurTheoretischeElektrotechnikAachen.Germany,lmnstitutfurTheoretischeElektrotechnikAachen.Ge
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本文介绍高速度、高密度的双极型发射极耦合注入逻辑的发展,采用改进了的工艺来实现EECL。利用小的肖特基管并将它们合并成内部电流源,发射极耦合注入逻辑(ECIL)门是一个小的,自隔离的并工作在非饱和区的门电路。 图1表示的是用于ECIL门的PNM管。与早期提出
This article describes the development of high-speed, high-density bipolar emitter-coupled injection logic, using an improved process to implement EECL. Using a small Schottky diode and combining them into an internal current source, the ECIL gate is a small, isolated gate that operates in a non-saturated region. Figure 1 shows the PNM tube for the ECIL door. Presented with earlier
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