【摘 要】
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n沟硅栅MOS单管单元4096位动态随机存取存贮器,采用当前最广泛的n沟硅栅工艺制造。在不太严格的工艺条件下,即位线宽度7.5微米,位线电容C_D与单元电容C_s比等于或大于10的情
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n沟硅栅MOS单管单元4096位动态随机存取存贮器,采用当前最广泛的n沟硅栅工艺制造。在不太严格的工艺条件下,即位线宽度7.5微米,位线电容C_D与单元电容C_s比等于或大于10的情况下,设计了一种读出放大器,使之能读出200毫伏左右的信号。单元的面积是60×30微米~2,芯片的总面积为4×5毫米~2。
n-channel silicon gate MOS single-cell 4096-bit dynamic random access memory, using the most widely used n-channel silicon gate technology. Under less stringent process conditions, that is, with a bit line width of 7.5 μm and a bit line capacitance C_D and cell capacitance C_s equal to or greater than 10, a sense amplifier was designed to read about 200 millivolts signal. The cell area is 60 × 30μm ~ 2, the total area of the chip is 4 × 5mm ~ 2.
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