【摘 要】
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本文研究了As_2~+注入硅的辐射损伤及退火行为。以能量为10～30keV、剂量为1×10~(13)～5×10~(15)cm~(-2)的As_2~+注入p型〈100〉硅形成浅掺杂层,用快速退火激活注入杂质并控制
【机 构】
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中科院上海冶金所离子束开放研究实验室,中科院上海冶金所离子束开放研究实验室,中科院上海冶金所离子束开放研究实验室
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本文研究了As_2~+注入硅的辐射损伤及退火行为。以能量为10～30keV、剂量为1×10~(13)～5×10~(15)cm~(-2)的As_2~+注入p型〈100〉硅形成浅掺杂层,用快速退火激活注入杂质并控制其再分布。结果表明,可以获得结深为700～1500 (?)的n~+—p浅结,相应的薄层电阻值为60Ω/口。
In this paper, the radiation damage and annealing of As 2 + implanted silicon were studied. The shallow doped layer was formed by implanting p-type <100> silicon into As 2 + with dose of 1 × 10 13 ~ 5 × 10 15 cm -2 at energy of 10-30 keV, Activate Impurity Implants and Control Their Redistribution. The results show that an n ~ + -p shallow junction with a junction depth of 700 ~ 1500 (?) Can be obtained with a corresponding sheet resistance of 60 Ω /
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