P沟道MOS典型工艺

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jason19829413
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在制造大规模集成电路的工艺中,P沟道MOS已成为工业产品的标准件。P沟道之所以比N沟道占优势,是由于P沟道工艺中的二氧化硅表面性质可被控制,易于掌握。表面态密度加工的典型差别(它引起P沟道晶体管阈值电压的不同)常常使N沟道晶体管从增强型转变为耗尽型。N沟道MOS场效应管在理论上虽能提供良好的特性,但P沟道MOS场效应管由于能重现增强型的特性,因此它成为研制数字集成电路的基础。 P-channel MOS has become the standard part of industrial products in the manufacture of large scale integrated circuits. The reason why the P channel is superior to the N channel is that the surface properties of the silicon dioxide in the P channel process can be controlled and easily grasped. The typical difference in surface-state density processing, which causes differences in the threshold voltage of P-channel transistors, often causes N-channel transistors to transition from enhanced to depleted. Although N-channel MOS FETs provide theoretically good characteristics, P-channel MOS FETs are the foundation for the development of digital integrated circuits because they reproduce enhanced features.
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