【摘 要】
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MnSi1.7在光电子器件领域有广泛的应用前景。由于化合物结构的复杂,对MnS1.7能带结构的研究仅限于实验上,而且不同实验测量的能隙值不同。首次利用“第一性原理”,对MnSi1.7(
【机 构】
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装甲兵工程学院基础部,装甲兵工程学院基础部,装甲兵工程学院基础部,北京大学物理学院 北京100072,北京100072,北京100072,北京100871
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MnSi1.7在光电子器件领域有广泛的应用前景。由于化合物结构的复杂,对MnS1.7能带结构的研究仅限于实验上,而且不同实验测量的能隙值不同。首次利用“第一性原理”,对MnSi1.7(Mn4Si7相)的电子特性进行了理论计算。计算结果表明,MnSi1.7(Mn4Si7)具有0．83 eV的直接能隙,这预示了MnSi1.7在光电上有着重要的应用前景。
MnSi1.7 in the field of optoelectronic devices have a wide range of applications. Due to the complex structure of the compounds, the research on the energy band structure of MnS1.7 is limited to experiments, and the energy gap values measured by different experiments are different. For the first time, the “first principle” was used to calculate the electronic properties of MnSi1.7 (Mn4Si7). The calculated results show that MnSi1.7 (Mn4Si7) has a direct energy gap of 0.83 eV, which indicates that MnSi1.7 has an important application prospect in optoelectronics.
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