用量子效应谐振隧道热电子晶体管(RHET)制造全加器IC

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lg0768
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据《JEE》1991年6月刊载,日本富士通公司用7只量子效应谐振隧道热电子晶体管(RHET)制成了全加器IC.由于采用此集成电路,半导体IC的信息处理能力比以前提高了50倍,并使其功耗减少50%.富士通公司在制造RHET全加器IC时,采用了谐振隧道势垒的最佳设计和新的集电极势垒结构.且器件制造采用了新的自对准工艺技术,故使电流放大率达到并超过10,在开态 According to “JEE” published in June, 1991, Japan’s Fujitsu Limited used seven quantum-effect resonant tunneling thermionic transistors (RHETs) to fabricate full adder ICs. With this integrated circuit, the information processing capability of semiconductor ICs is higher than before 50 times and reduce its power consumption by 50%. Fujitsu used the best design of resonant tunnel barrier and new collector barrier structure in the manufacture of RHET full adder IC, and the device manufacturing adopted new self Alignment technology, so the current amplification rate reached more than 10, in the open
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