适用于近紫外LED芯片的白光荧光粉Y2(MoO4)3：DY^3＋的发光特性

• 作 者: 龚慧 林林 丘志海 黄兴勇 郑志强
• 机 构: 福建师范大学物理与光电信息科技学院
• 出 处: 人工晶体学报
• 发表日期: 2011年6期
• 关键词: Y2(MoO4)3∶Dy3+ 荧光粉 白光LED 发光性质 Y2（MoO4）3：Dy^3＋ phosphor white LED luminescent p
• 基金项目: 福建省科技重大专项（2007HJ0004-2）资助项目,福建省教育厅资助项目（JK2011008）,福建省青年人才创新项目（2007r3027）

采用高温固相法制备纯相Y2（MoO4）3：Dy^3＋荧光粉，并对其晶场及发光性质进行研究。晶场分析结果表明：Dy^3＋格位晶场结构近似为对称性很低的G2，因此样品在近紫外区有很强／矿激发峰，适合于近紫外LED芯片。在387nm激发下，主要发射峰为Dy^3＋的特征发射487nm（蓝光，^4F9/2→^6H15/2）和574nm（黄光，^4F9/2→^6H13/2）。增大Dy^3＋掺杂浓度，黄光与蓝光的强度比值（Y／B）随之增大。387nm激发下，不同Dy^3＋掺杂浓度荧光粉发射光的色坐标均在白光区域中。以上