新日铁与科锐签订SiC基板专利相互授权协议“避免无谓的专利竞争”

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新日本制铁(新日铁)与美国科锐就新一代功率半导体等采用的SiC基板,签订了双方在全球所拥有专利的相互授权协议。双方可相互利用SiC块体基板和外延基板方面的专利。目的是通过避免无谓的专利纠纷,在全球尽快建立起SiC功率半导体市场。 New Nippon Steel (Nippon Steel) and the United States Career on the new generation of power semiconductors and other SiC substrates used, signed the two countries have patents worldwide mutual licensing agreement. Both parties can take advantage of the patents on SiC bulk substrates and epitaxial substrates. The goal is to establish SiC power semiconductors in the world as soon as possible by avoiding unnecessary patent disputes.
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