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对真空蒸镀在Si（111）衬底上的钻膜及退火后在CO/Si界面形成的钻硅化物薄膜进行了研究。所用仪器为X光衍射仪和改进型Read相机。测定了Co、Co<sub>2</sub>Si、CoSi及CoSi<sub>2</sub>薄膜的晶格常数和织构,并对Co/Si界面在低温退火（【500℃）过程中硅化物的演变进行了分析。证明:在金属钴耗尽前Co<sub>2</sub>Si和CoSi共同生长,金属钴耗尽后Co<sub>2</