GaN/GaAs(001)外延薄膜的湿法腐蚀特性

• 作 者: 沈晓明 冯志宏 冯淦 付羿 张宝顺 孙元平 张泽洪 杨辉
• 机 构: 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,10008；广西大学物理系,南宁,530004中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083
• 出 处: 城市道桥与防洪
• 发表日期: 2004年期
• 关键词: 立方相GaN MOVPE 湿法腐蚀 非对称性

对在GaAs (001) 衬底上用金属有机物气相外延(MOVPE)方法生长的GaN薄膜的湿法腐蚀特性进行了研究.所用腐蚀液包括HCl、H3PO4、KOH水溶液以及熔融KOH,腐蚀温度为90～300℃.实验发现不同的腐蚀液在样品表面腐蚀出不同形状的腐蚀坑.KOH溶液腐蚀出长方形的坑,长边平行于(111)A面,表明沿相互垂直的〈110〉晶向的腐蚀特性不同.用不同晶面相对反应性的差别定性解释了腐蚀的这种非对称性.此外,还发现KOH水溶液更有可能用于显示立方相GaN外延层中的层错.