【摘 要】
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分别采用两种不同的方法制备了ZnO薄膜。①离子束溅射法（IBD）,在Si（001）衬底上制备锌膜后在氧气氛炉中退火;②射频溅射法（RF）,在Si（001）衬底上制备ZnO薄膜后在氧气氛炉中退火。利用X
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分别采用两种不同的方法制备了ZnO薄膜。①离子束溅射法（IBD）,在Si（001）衬底上制备锌膜后在氧气氛炉中退火;②射频溅射法（RF）,在Si（001）衬底上制备ZnO薄膜后在氧气氛炉中退火。利用X射线衍射仪和原子力显微镜（AFM）以及电感、电容、电阻综合测试仪（LCR）对两种方法制备的ZnO薄膜的结构、形貌和导电性进行了比较研究。结果表明,离子束溅射的锌膜经热氧化后得到的ZnO薄膜生长的单向性较差,表面粗糙度较大,薄膜的电阻率也比较高。
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