一种基于增强型NMOS反相器的低错误率只读PUF

• 作 者: 魏欣 孙玥
• 机 构: 南京信息职业技术学院电子信息学院
• 出 处: 电子器件
• 发表日期: 2018年4期
• 关键词: 物理不可克隆函数 低比特错误率 CMOS工艺 PUFlow bit error rateCMOS process
• 基金项目: 江苏高校品牌专业建设工程项目(PPZY2015C242)

降低BER(比特错误率)是应用于物联网安全领域PUF(Physical Uncloneble Function)的热点问题。针对降低比特错误率,提出了一种新型低比特错误率的只读PUF。这种新型PUF的核心思想是用EE(Enhancement-Enhancement)NMOS反相器替代在传统的SRAM存储单元中的CMOS反相器,使得存储单元的上电阶段数据对噪声抵抗能力增强。在180nm工艺标准下,蒙特卡洛仿真结果显示此新型PUF在室温下的比特错误率低于1%,与传统SRAMPUF相比,比特错误率大幅减小。芯片