【摘 要】
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以硅技术为基础的电力器件正在迅速地接近其性能的理论极限。因此,为了降低电力器件在高频系统中的功率损失并获得高的效率,开发其它材料的电力器件则是很必须的。本文就选择
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以硅技术为基础的电力器件正在迅速地接近其性能的理论极限。因此,为了降低电力器件在高频系统中的功率损失并获得高的效率,开发其它材料的电力器件则是很必须的。本文就选择高频用优质半导体材料提出了几种理论指导原则,并且说明:砷化镓、碳化硅以及半导电金刚石基片器件,在降低高频功率损失方面都具备明显的优越性。
Power devices based on silicon are rapidly approaching the theoretical limits of their performance. Therefore, in order to reduce the power loss of power devices in high-frequency systems and to obtain high efficiency, it is necessary to develop power materials of other materials. This paper presents several theoretical guidelines for selecting high-quality semiconductors for high-frequency use, and shows that gallium arsenide, silicon carbide, and semiconducting diamond substrate devices have significant advantages in reducing high-frequency power losses.
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