大功率IGBT与MOSFET器件的测试

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为保证功率半导体器件的可靠性,测试必须考虑到器件特殊性能及其工作状态。 现在,功率半导体器件的性能、大小和价格千差万别——从价值25美分的三条腿的晶体管到价值1000美元的8×8的绝缘栅双极性晶体管(IGBT)模块。这些功率半导体器件有两个突出的特点;它们能传导很大的电流;并能消散大量的热能。由于功率半导体器件能传导很大的电流,并常用在产业和民用的极限情况,因此模拟真实的工作环境进行测试是很困难的。 To ensure the reliability of power semiconductor devices, the test must take into account the special characteristics of the device and its working conditions. Performance, size and price of power semiconductors now vary widely - from a three-legged 25-cent transistor to a $ 1,000 8 × 8 insulated gate bipolar transistor (IGBT) module. These power semiconductor devices have two prominent features; they can conduct large currents; and dissipate large amounts of thermal energy. Since power semiconductor devices can conduct large currents and are commonly used in industrial and commercial applications, it is difficult to simulate a realistic working environment.
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