论文部分内容阅读
[!--newstext--]
[!--title--]
【摘 要】
：
1引言并行计算机是现在高性能计算领域的杰出代表.并行计算机体系结构由数据传输网络和多处理机一起组成,其核心是通信体系结构,通信体系结构的核心则是并行计算机互联网络.
【机 构】
：
中南大学信息科学与工程学院
【出 处】
：
计算机科学
【发表日期】
：
2003年9期
其他文献
本文论述了如何提高加热炉换热器的使用寿命,增大换热面积,提高空气预热温度与节约能源,以及对换热器的结构进行改进的方法.
本文详细论述了第一轧钢厂φ300mm机组加热炉改造的方案及采取的节能措施,介绍了加热炉设备的特性,实践证明本次改造是十分成功的.
成功地制备了用铝掺杂的氧化锌（ＡＺＯ）透明导电膜作阳极的有机薄膜电致发光器件，并对单层和双层结构的ＡＺＯ器件以及以两种不同ＩＴＯ作阳极器件的电致发光光谱，电流电压特性，亮度电压特性以及电致
利用单辊快速凝固装置制备出高强度，低密度，大模量的非晶态Ａｌ６１Ｌｉ２．５Ｙ２５Ｎｉ１１．５（ｗｔ－％）合金，其最大拉伸断裂强度，显微硬度和弹性模量分别为１０３９ＭＰａ，４８８ＤＰＮ和９８．７ＧＰａ，与同成分的晶态合金相比，具有较高的电极电位，较宽的电压钝化区，其腐
用电化学和Ｘ射线衍射方法研究了氧化物涂层成分热分解法制备的ＩｒＯ２（５）ＴｉＯ２（６０）Ｃｏ３Ｏ４（ｘ）ＲｕＯ２（３５－ｘ）／Ｔｉ阳极材料析氯速率的影响．ｘ值为０－１３ｍ／ｏ时，氧化物涂层为单相金红石型固溶体，阳极析氯速率随ｘ值增加，ｘ值大于１３ｍ／ｏ时，涂层中出现尖晶石Ｃｏ３Ｏ４第
研究了Ｔａ的阳极氧化反应动力学，用自制装置有效地控制用于非晶硅薄膜晶体管（ａ－ＳｉＴＦＴ）的复合栅绝缘层Ｔａ２Ｏ５厚度，膜质均、性能优良，使用复合栅绝缘层Ａ－ＳｉＴＦＴ的开启电压（ＶＴ）控制中３－５Ｖ之间，开关电流比（Ｉｏｎ／ｏｆｆ）大于１０＾７，场效应迁移
由两个铁电体所组成的固溶体的平均相变温度通常都处于这两个铁电体的相变温度之间．然而，Ｐｈ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－ＢａＴｉＯ３（ＰＺＮ－ＢＴ）的平均相变温度却呈现出明显不同的变化规律．随着ＢＴ含量的增加，ＰＺＮ－ＢＴ的平均相变温度迅速下降．本文
用对向靶溅射仪制备了具有梯度结构的氮化铁薄膜材料．卢瑟福背散射分析结果表明，铁、氮两种原子的密度沿膜厚度方向呈梯度变化．在薄膜中有ζ－Ｆｅ２Ｎ，ε－ＦｅｘＮ（２＜ｘ＜３），γ′－Ｆｅ４Ｎ和α″－Ｆｅ１６Ｎ２等物相．振动样品磁强计测
综述了扬声器高音振膜材料的研究工作及其进展，特别介绍了金刚石薄膜（ＤＦ）制备扬声器振动膜和用类金刚石薄膜（ＤＬＣ）涂层制备扬声器振动膜方面的进展，探讨了用ＤＦ及其钛复合材料制备扬声器振动
研究了Ａ５３７低强度结构钢在空气和３．５％ＮａＣｌ中性水溶液中疲劳裂纹扩展及其相应的声发射规律。结果表明腐蚀疲劳裂纹扩展过程中声发射活动下降。由于裂纹尖端塑性区内的位错运动是疲劳与腐蚀