一种CMOS工艺低电压带隙基准源

来源 :微电子学与计算机 | 被引量 : 0次 | 上传用户:juanzi0666
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基于0.18μm CMOS工艺,设计了一种低电源电压的带隙基准源.该带隙基准源电路采用非线性温度补偿,具有很高的温度稳定性.Hspice仿真结果显示,电源电压最低为1.2V时,在-40~135℃的温度范围内,输出电压在556.03~556.26mV之间变化,平均温度系数约仅为2.36ppm/℃,电源电压抑制比可达到90dB.
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