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陶瓷作为应用非常广泛的一种材料，其电击穿问题一直是研究的重点和热点．由于击穿过程涉及热、光、电多场耦合效应，目前还没有一个普适的模型能够解释陶瓷击穿问题．针对此问题进行分析，实验中采用脉冲高压发生装置击穿陶瓷，通过对陶瓷击穿过程中等效电阻的研究，揭示了PZT95／5陶瓷样品体击穿和沿面闪络形成过程的异同．结果显示，在两种击穿模式下，陶瓷样品内部均会在40ns左右形成导电通道，陶瓷等效电阻急剧下降至100Q量级；然后体击穿与沿面闪络的导电通道以不同的速率继续扩展；电阻减小速率与导电通道上载流子的浓度有关，二