【摘 要】
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据《日经微器件》2006年第9期报道,韩国三星电机和GIST合作,通过在器件的P型GaN层进行蚀刻,从而提高了LED的电学和光学性能。用氢氧化钾的乙二醇溶液进行蚀刻,在P型的GaN层会
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据《日经微器件》2006年第9期报道,韩国三星电机和GIST合作,通过在器件的P型GaN层进行蚀刻,从而提高了LED的电学和光学性能。用氢氧化钾的乙二醇溶液进行蚀刻,在P型的GaN层会产生六角形的深坑,在20mA的驱动电流下,将提高光输出29.4%。三星电机和IST合作研究小组认为,他们采用的
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