浸渍式钨酸钡锶阴极的蒸发特性研究

• 作 者: 胡明玮 王小霞 罗积润 漆世锴 李云 张琪
• 机 构: 中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术重点实验室 北京100190中国科学院大学 北京100049;中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术重点实验室 北京100190
• 出 处: 真空科学与技术学报
• 发表日期: 2016年11期
• 关键词: 钨酸钡锶 蒸发率 飞行时间质谱法 石英晶振法

采用飞行时间质谱法检测了浸渍式钨酸钡锶阴极(未覆膜)激活时在不同工作温度下的蒸发物成分,并采用石英晶体振荡动态测试法测量了阴极在不同温度下的动态蒸发率.结果表明:浸渍式钨酸钡锶阴极在1100℃左右能够充分激活,且平均蒸发率约为未覆膜612铝酸盐阴极的50％,这有利于发射电流密度提高及阴极寿命延长.