射频溅射—热处理法研制SnO2薄膜

来源 :传感器世界 | 被引量 : 0次 | 上传用户：damson800413

【摘要】

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本文比较详细地研究射频溅射Ｓｎ膜－热处理氧化制备ＳｎＯ２薄膜的工艺因素对薄膜结构的影响，得到了采用该新工艺制备ＳｎＯ２薄膜的最佳条件：首先采用３５０Ｗ×０．１０Ｐａ×２０ｍｉｎ的射频溅射工艺制备β－Ｓｎ膜；然后采用在

【作者】

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蒙冕武邓希敏

【机构】

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广西师范大学新技术新材料研究所,广西师范大学新技术新材料研究所

【出处】

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传感器世界

【发表日期】

：

1998年11期

【关键词】

：

射频溅射薄膜气敏元件二氧化锡研制 RF Sputtering SnO2 thin-film Technology

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本文比较详细地研究射频溅射Ｓｎ膜－热处理氧化制备ＳｎＯ２薄膜的工艺因素对薄膜结构的影响，得到了采用该新工艺制备ＳｎＯ２薄膜的最佳条件：首先采用３５０Ｗ×０．１０Ｐａ×２０ｍｉｎ的射频溅射工艺制备β－Ｓｎ膜；然后采用在５５０－６５０℃温度条件下保温２－３ｈ的热处理工艺制备出ＳｎＯ２薄膜。Ｘ－射线衍射实验结果表明，在该工艺条件下可以得到非常细小均匀的纳米级ＳｎＯ２晶体结构，为薄膜型ＳｎＯ２气敏元件新一

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