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【摘 要】
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本文比较详细地研究射频溅射Ｓｎ膜－热处理氧化制备ＳｎＯ２薄膜的工艺因素对薄膜结构的影响，得到了采用该新工艺制备ＳｎＯ２薄膜的最佳条件：首先采用３５０Ｗ×０．１０Ｐａ×２０ｍｉｎ的射频溅射工艺制备β－Ｓｎ膜；然后采用在
【机 构】
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广西师范大学新技术新材料研究所,广西师范大学新技术新材料研究所
【出 处】
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传感器世界
【发表日期】
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1998年11期
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