Si（111）衬底上多层石墨烯薄膜的外延生长

• 作 者: 李利民 唐军 康朝阳 潘国强 闫文盛 韦世强 徐彭寿
• 机 构: 中国科学技术大学国家同步辐射实验室
• 出 处: 无机材料学报
• 发表日期: 2011年5期
• 关键词: 固源分子束外延 SI(111)衬底 石墨烯薄膜 solid source molecular beam epitaxy Si substrate graph

利用固源分子束外延（SSMBE）技术，在Si（111）衬底上沉积碳原子外延生长石墨烯薄膜，通过反射式高能电子衍射（RHEED）、红外吸收谱（FTIR）、拉曼光谱（RAMAN）和X射线吸收精细结构谱（NEXAFS）等手段对不同衬底温度（400、600、700、800℃）生长的薄膜进行结构表征．RAMAN和NEXAFS结果表明：在800℃下制备的薄膜具有石墨烯的特征，而400、600和700℃生长的样品为非晶或多晶碳薄膜．RHEED和FTIR结果表明，沉积温度在600℃以下时C原子和衬底si原子没有成键，而衬