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用Sol-Gel法在ITO玻璃衬底上制备了不同比例Nb和Co掺杂的PZT铁电薄膜，薄膜呈以（101）为首要方向的多晶结构．测试结果表明：Co掺杂的PZT薄膜的剩余极化、矫顽场、介电常数和漏电流密度均大于PZT薄膜的相应值，但在1mol％到10mol％Nb掺杂范围内漏电流密度随着Nb掺杂比例的增加而减小，薄膜的剩余极化强度和介电常数也有所减小．