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以SiCl4和H2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在不同放电功率下沉积微晶硅薄膜,通过调节放电功率实现了微晶硅薄膜的晶化调控和光电性质的优化,并利用Langmuir探针和质谱计分别对等离子体空间的电子特性和中性基团进行在线检测,初步探讨了成膜的微观机理.
放电功率对微晶硅薄膜的晶化调控及光电性质的影响
【摘 要】
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以SiCl4和H2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在不同放电功率下沉积微晶硅薄膜,通过调节放电功率实现了微晶硅薄膜的晶化调控和光电性质的优化,并利用Lang
【机 构】
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安庆师范大学物理与电气工程学院
【出 处】
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四川大学学报:自然科学版
【发表日期】
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2019年2期
【基金项目】
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国家自然科学基金(11447197),安徽省教育厅资助项目(AQKJ2014B019),安徽省自然科学基金(1608085MA21),安庆师范大学资助项目(2017JYXM034).
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