ZnO薄膜制备及其发光特性研究

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【摘要】

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用射频磁控反应溅射法分别在未加热和加热的石英玻璃衬底上制备ZnO薄膜,在不同温度下进行退火处理,研究衬底温度、退火条件对其结构和发光性能的影响.通过对样品的X射线衍射(

【作者】

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王晶张希清梅增霞黄世华徐征

【机构】

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北方交通大学光电子技术研究所

【出处】

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光电子·激光

【发表日期】

：

2002年11期

【关键词】

：

ZNO薄膜制备发光特性磁控溅射光致发光氧化锌半导体化合物 ZnO thin film Magetron sputtering Photolumine

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用射频磁控反应溅射法分别在未加热和加热的石英玻璃衬底上制备ZnO薄膜,在不同温度下进行退火处理,研究衬底温度、退火条件对其结构和发光性能的影响.通过对样品的X射线衍射(XRD)、吸收光谱和光致发光(PL)光谱的测量结果表明,衬底温度为230 ℃、退火温度为400 ℃时样品结晶性能最佳,并具有最强的紫外光发射(380 nm).

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