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研究并制造了2.6～2.8GHz输出功率100W、脉宽1μs、占空比25%、增益7dB、效率35%的硅微波脉冲功率晶体管.本文介绍了该器件的设计考虑和采用的工艺技术,给出了研制结果.
2.6～2.8GHz 1OOW硅微波脉冲功率晶体管
【摘 要】
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研究并制造了2.6～2.8GHz输出功率100W、脉宽1μs、占空比25%、增益7dB、效率35%的硅微波脉冲功率晶体管.本文介绍了该器件的设计考虑和采用的工艺技术,给出了研制结果.
【机 构】
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中国电子科技集团公司第13研究所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2004年期
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