【摘 要】
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宽带ⅡⅥ族半导体如ＺｎＳｅ，ＺｎＴｅ等材料在室温有大的禁带宽度，成为蓝绿波段光电器件的主要候选材料，因而有关它们的研究备受瞩目。但对于ＺｎＳｅＴｅ三元化合物和ＺｎＳｅＴｅＺｎＳｅ多层结构的报道却很少见，而且其中大都
【机 构】
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中国科学院激发态物理开放研究实验室,中国科学院长春物理研究所
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宽带ⅡⅥ族半导体如ＺｎＳｅ，ＺｎＴｅ等材料在室温有大的禁带宽度，成为蓝绿波段光电器件的主要候选材料，因而有关它们的研究备受瞩目。但对于ＺｎＳｅＴｅ三元化合物和ＺｎＳｅＴｅＺｎＳｅ多层结构的报道却很少见，而且其中大都采用分子束外延（ＭＢＥ）技术。本文首次报道用低压金属有机化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）制备的ＺｎＳｅＴｅＺｎＳｅ多量子阱。用Ｘ射线衍射、光致发光（ＰＬ）和受激发射实验检测该结构。使用低压ＭＯＣＶＤ装置，在（１００）ＧａＡｓ衬底上以用高纯氢气作载气的二甲基锌（ＤＭＺｎ）、二乙基碲（ＤＥＴｅ）和Ｈ２
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