低温磁控溅射SnO2:Sb透明导电膜的结构与导电性能

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采用射频磁控溅射法在7059玻璃衬底上低温制备出锑掺杂的氧化锡(SnO2:Sb)透明导电膜,对薄膜的结构和电学性质进行了研究.制备薄膜为多晶膜,并且保持了纯二氧化锡的金红石结构,而且具有明显的(110)择优取向.最低电阻率为2×10-3Ω·cm,载流子浓度和迁移率分别为1.65×1020cm-3和19.0cm2·v-1·s-1.
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