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在LiNbO3中掺进In2O3和Fe2O3用恰克拉斯基(Czochralski)法生长In:Fe:LiNbO3晶体。测试表明,In:Fe:LiNbO3晶体抗光致散射能力高,响应速度快,存储保存时间长。研究了In:Fe:LiNbO3晶体全息存储性能的机理,测得的衍射效率最大值为73%。
In:Fe:LiNbO
【摘 要】
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在LiNbO3中掺进In2O3和Fe2O3用恰克拉斯基(Czochralski)法生长In:Fe:LiNbO3晶体。测试表明,In:Fe:LiNbO3晶体抗光致散射能力高,响应速度快,存储保存时间长。研究了In:Fe:LiNbO3晶体全息存储性能的机理,测得的衍射效率最大值为73%。
【机 构】
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哈尔滨工业大学航天工程与力学系,哈尔滨150001山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100
【出 处】
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光学学报
【发表日期】
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1999年19期
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