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在硅基上制备了ｃ轴取向高度一致的ＺｎＯ薄膜，这将有可能成为新型ＧａＮ单晶薄膜的过渡层，对ＺｎＯ薄膜的晶体性能了进行了分析，研究了不同衬底和不同衬底温度对ＺｎＯ薄膜的结晶状况的影响，并着重用ＴＥＭ研究了硅基ＺｎＯ薄膜的晶体性能。
ZnO薄膜的晶体性能的分析
【摘 要】
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在硅基上制备了ｃ轴取向高度一致的ＺｎＯ薄膜，这将有可能成为新型ＧａＮ单晶薄膜的过渡层，对ＺｎＯ薄膜的晶体性能了进行了分析，研究了不同衬底和不同衬底温度对ＺｎＯ薄膜的结晶状况的影响，并着重用ＴＥＭ研究了
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室
【出 处】
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真空科学与技术
【发表日期】
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1999年5期
【基金项目】
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国家博士点基金
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