【摘 要】
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用共振喇曼散射研究半导体的能带结构,实验观察了Ga_(1-x)Al_xAs直接带隙单声子和GaP在间接带隙(г_(3v)—X_(3c))附近的双声子共振特性。阐述了由喇曼光谱测量确定Ⅲ—V族半
【机 构】
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厦门大学,厦门大学,厦门大学,厦门大学
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用共振喇曼散射研究半导体的能带结构,实验观察了Ga_(1-x)Al_xAs直接带隙单声子和GaP在间接带隙(г_(3v)—X_(3c))附近的双声子共振特性。阐述了由喇曼光谱测量确定Ⅲ—V族半导体的载流子浓度。
Resonance Raman scattering was used to study the energy band structure of the semiconductor. The dipole resonance of the Ga_ (1-x) Al_xAs direct band gap monophon and GaP near the indirect band gap (г_ (3v) -X_ (3c) characteristic. The carrier concentration of III-V semiconductors is determined by Raman spectroscopy.
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