【摘 要】
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采用美国宾州大学开发的AMPS（Analysis of Microelectronic and Photonic Structures）软件模拟了p/i界面缺陷态密度（Npt/i）和非晶孵化层厚度（d）对pin型氢化微晶硅（μc-Si∶H）薄膜太阳
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划（No.2006CB202601）, 河南省自然科学基金（No.072300410080）
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采用美国宾州大学开发的AMPS（Analysis of Microelectronic and Photonic Structures）软件模拟了p/i界面缺陷态密度（Npt/i）和非晶孵化层厚度（d）对pin型氢化微晶硅（μc-Si∶H）薄膜太阳电池性能的影响。结果表明：随着Ntp/i的增大,电池的开路电压Voc和填充因子FF单调减小,短路电流Jsc基本不变;随着d的增大,Jsc和FF单调减小,Voc反而增大;Ntp/i和d值的增大均会导致电池光电转换效率η下降。通过对电池内部的电场及能带的分析,对上述
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