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开帽器件借助于软X射线、可见光和紫外光相结合的辐照实验,可鉴别工艺对器件抗辐照性能的影响。实验结果表明:利用适当填料对器件进行灌封,可改善器件的抗辐照性能。
灌封CMOS／SOS电路的抗辐照性能探讨
【摘 要】
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开帽器件借助于软X射线、可见光和紫外光相结合的辐照实验,可鉴别工艺对器件抗辐照性能的影响。实验结果表明:利用适当填料对器件进行灌封,可改善器件的抗辐照性能。
【机 构】
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四川固体电路研究所四川永川
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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1989年12期
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