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采用直流电化学腐蚀的方法在不同电流密度下制备了多孔硅样品.用SEM,FTIR,PL谱研究了制备样品的结构和发光特性.结果表明,多孔硅样品的发光强度和峰位与电流密度存在密切关系,制备的多孔硅存在378,470,714 nm的光致发光,对这几个发光峰的发光机理进行了讨论.
电化学腐蚀多孔硅的发光特性
【摘 要】
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采用直流电化学腐蚀的方法在不同电流密度下制备了多孔硅样品.用SEM,FTIR,PL谱研究了制备样品的结构和发光特性.结果表明,多孔硅样品的发光强度和峰位与电流密度存在密切关系
【机 构】
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河北师范大学物理科学与信息工程学院,河北省新型薄膜材料实验室
【出 处】
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河北师范大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2008年6期
【基金项目】
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国家自然科学基金（10804026.10774037）,河北省自然科学基金（E2007000280）,河北省教育厅基金（2006123）
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