【摘 要】
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报道了电沉积法制备多晶砷化镓(GaAs)薄膜的工艺。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、分光光度计和C-V测试仪对薄膜进行了测试,其成分为Ga_(0.91)As_(1.09)。根据Mott-Schott
【机 构】
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报道了电沉积法制备多晶砷化镓(GaAs)薄膜的工艺。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、分光光度计和C-V测试仪对薄膜进行了测试,其成分为Ga_(0.91)As_(1.09)。根据Mott-Schottky曲线,计算了薄膜的能带位置。最后测量了Ga_(0.81)As_(0.09)/ 电解液结的光电化学特性。
Reported the preparation of polycrystalline gallium arsenide (GaAs) film electrodeposition process. The films were characterized by scanning electron microscopy, X-ray diffraction, spectrophotometer and C-V tester. The composition of the films was Ga 0.91 As 1.09. According to the Mott-Schottky curve, the band position of the film was calculated. Finally, the photoelectrochemical characteristics of Ga_ (0.81) As_ (0.09) / electrolyte junction were measured.
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