Mg2SiO4固相合成及其性能研究

• 作 者: 孙成礼 张树人 周晓华 李波
• 机 构: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
• 出 处: 材料导报
• 发表日期: 2008年3期
• 关键词: Mg2SiO4 固相反应 低介材料 Mg2SiO4 solid state reaction low dielectric materials

以碱式碳酸镁和Si02为原料，采用固相反应法合成MgzSiO4。结果表明，当Mg／Si比为2：1．2，在1200℃以上空气气氛中预烧3h，能合成出单相的Mg2SiO4。在1280～1340℃保温2h烧结成瓷后，其1MHz介电常数为7．05±0．05，损耗角正切变化范围在（2～5）×10^-4之间，体积密度为（3．1±0．5）g／cm3。