重掺杂对硅锗基区带隙的影响

来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：arthur2020

【摘要】

：

重掺杂对硅锗基区带隙的影响＝ＥｆｆｅｃｔｏｆｈｅａｖｙｄｏｐｉｎｇｏｎｂａｎｄｇａｐｉｎＳｉＧｅｂａｓｅｒｅｇｉｏｎｓ［刊，英］／Ｍａｎｎｉｎｇ，Ｂ．Ｍ．…Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ．－１９９３，１１（３）．－１１９０～１１９２根据实验器... Effect of heavily doped silicon germanium base band gap = EffectofheavydopingonbandgapinSiGebaseregions [], / Man

【出处】

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微电子学

【发表日期】

：

1994年03期

【关键词】

：

基区重掺杂掺硼饱和电流

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