温度、惰性填料对先驱体硅树脂高温连接 Cf/SiC陶瓷基复合材料的影响

• 作 者: 所俊 陈朝辉 韩卫敏 郑文伟
• 机 构: 国防科技大学CFC国防科技重点实验室
• 出 处: 稀有金属材料与工程
• 发表日期: 2005年z1期
• 关键词: 先驱体 硅树脂 连接 惰性填料 剪切强度
• 基金项目: 湖南省自然科学基金资助(04JJY3002)

对先驱体硅树脂高温(800℃～1 400℃)转化陶瓷结合层连接石墨、陶瓷SiC及Cf/SiC复合材料进行了研究,着重对硅树脂固化裂解过程、裂解温度及惰性填料对连接性能的影响进行了探讨.结果表明,硅树脂的交联固化主要是通过消耗Si-OH来完成.对于石墨、SiC的连接,1200℃是较佳的处理温度,而对于Cf/SiC则最佳的处理温度为1 400℃.加入5%惰性填料SiC可以提高硅树脂对Cf/SiC复合材料的连接性能.