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2000年12月28日，河北省自然科学基金委员会组织成员来校，对“功率光导开关砷化镓基体材料特性的研究”工作进行了项目鉴定．功率光导开关砷化镓基体材料特性的研究，是河北工业大学电气信息学院付浚、杨瑞霞教授等于1997年申请到的河北省自然科学基金资助项目．该项目主要研究光导功率开关砷化镓基体材料（GaAs∶Si∶Cu)的制备和GaAs∶Si∶Cu 的暗电导、光电导及导通和关断瞬态特性与Si 浓度、Cu 浓度和光激发脉冲特性的关系．半导体功率开关是利用不同光激发脉冲激励下，半导体分别呈现高阻和低阻态来实现开关功能．从理论上讲，这种开关的开关速度可以比较容易地达到 ns 数量级，光导开关与激光脉冲相结合，可产生上升和下降时间极短和功率达到数兆瓦的电脉冲．故其在脉冲功率，脉冲雷达，高功率通讯系统等方面有广阔的应用前景．此外，光导功率开关在脉冲功率储能系统中也具有很大的应用潜力．脉冲功率器件能量储存通常是容性储存，从能量密度看，电感储能远优于电容储能，因前者能量密度可比后者大两个数量级．但感性储能的实现，面临要解决线圈能耗和选择合适开关的问题，前者因超导的出现而可望解决，后者最有希望的是光导开关．鉴定委员会成员由南开大学孙钟林教授及相关单位专家组成．鉴定委员会认真审查了“光导功率开关砷化镓基体材料特性研究”课题组提供的有关材料，一致认为该项目技术资料完整齐全，符合规定要求；实验方法和实验数据可靠，理论依据合理，研究工作完成了项目任务书中规定的任务内容和指标．（代）