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随着集成电路技术的快速发展，等比例缩小技术已经不能满足摩尔定律，应变硅金属氧化物硅场效应晶体管（MOSFET）技术成为后硅时代研究的热点。应变硅技术通过拉伸或压缩硅晶格达到器件尺寸不变的情况下，可提高器件性能的目的，同时应变硅技术与传统硅工艺兼容，节约了生产成本。对于应变硅互补金属氧化物硅晶体管（CMOS）器件的性能以及可靠性问题的研究也日益增加。本文通过介绍几种常用的应变技术（应力记忆技术（SMT），锗化硅技术（SiGe），接触孔刻蚀阻挡层（CESL））的应变机理、材料性能和工艺条件对应力技术的影响来探