【摘 要】
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利用LEED、UPS和AES研究了Si(331)表面的原子再构和氧吸附特性.发现经Xe离子溅射和～800℃退火后出现Si(331)-6 ×2表面相.在～80℃下,氧在这种表面上的吸附量与曝氧量关系曲线出
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利用LEED、UPS和AES研究了Si(331)表面的原子再构和氧吸附特性.发现经Xe离子溅射和～800℃退火后出现Si(331)-6 ×2表面相.在～80℃下,氧在这种表面上的吸附量与曝氧量关系曲线出现两个代表不同吸附过程的斜率.提出可能的吸附模型:当1ML 氧吸附时,在每个Si(331)面元胞中,一个氧原子被吸附在第一和第二层Si原子之间的桥位上,另一个氧原子被吸附在顶位上.
The atomic reconstruction and oxygen adsorption properties of Si (331) were investigated by LEED, UPS and AES. It was found that Si (331) -6 × 2 surface appeared after Xe ion sputtering and annealing at ~ 800 ℃. , The relationship between the amount of oxygen adsorbed on this surface and the amount of oxygen occured shows two slopes that represent different adsorption processes. A possible adsorption model is proposed: when 1 M oxygen is adsorbed, in each Si (331) , One oxygen atom is adsorbed on the bridging site between the Si atoms of the first and second layers and the other oxygen atom is adsorbed on the top site.
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