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试验结果证实,TiB2与BN复相陶瓷的导电性能符合渗流理论,原料粉粒度配比下,其渗流阀值为Vc%=22.9 %;原料粉粒度比的改变将改变渗流阀值,从而改变各配比下的电阻率值;TiB2与BN在SPS系统中快速烧结,晶粒的尺度比与原料粉的粒度比基本保持一致.
TiB2与BN复相陶瓷的渗流模型
【摘 要】
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试验结果证实,TiB2与BN复相陶瓷的导电性能符合渗流理论,原料粉粒度配比下,其渗流阀值为Vc%=22.9 %;原料粉粒度比的改变将改变渗流阀值,从而改变各配比下的电阻率值;TiB2与BN
【机 构】
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武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室
【出 处】
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复合材料学报
【发表日期】
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2002年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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