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针对4H-SiC射频MESFET中的陷阱效应,采用解析的方法建立陷阱模型,分析了陷阱效应对器件带来的影响,阐述了陷阱的陷落-发射机理,提取了时间常数、陷阱浓度等相关参数.得到的模拟结果能够较好的反映实验结果.
4H-SiC射频MESFET中陷阱参数的提取方法
【摘 要】
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针对4H-SiC射频MESFET中的陷阱效应,采用解析的方法建立陷阱模型,分析了陷阱效应对器件带来的影响,阐述了陷阱的陷落-发射机理,提取了时间常数、陷阱浓度等相关参数.得到的模
【机 构】
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西安电子科技大学微电子学院,武警工程学院军械运输系
【出 处】
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物理学报
【发表日期】
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2004年期
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