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本文在hBN—Li3N体系中添加不同含量的单质硼（B），研究了cBN晶体在富B条件下的生长特性。结果表明，B进入晶体的位置具有明显的区域选择性。B以占据N（111）面内N空位的方式进入晶体，并与原有的N原子一起形成一个B原子和N原子的（111）面。随着B进入量的增加，越来越多的B原子取代N空位，B和N原子的混合面与邻近的B（111）面叠加，在晶体的中心部位形成颜色较深的三角形阴影并逐步扩展，最后，使晶体完全变成黑色。由于B占据N空位造成原来N的（111）面上有大量硼原子存在，使得晶体沿〈111〉方向生长困