【摘 要】
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本文利用“灵巧的体接触 (Smart Body Contact)”技术设计出一种新型的SOI灵敏放大器 .采用Hspice软件对体硅的和新型的交叉耦合灵敏放大器进行模拟和比较 ,发现新型的交叉耦
【机 构】
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中国科学院微电子中心!北京100029,中国科学院微电子中心!北京100029,中国科学院微电子中心!北京100029,中国科学院半导体所!北京100083,中国科学院微电子中心!北京100029
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本文利用“灵巧的体接触 (Smart Body Contact)”技术设计出一种新型的SOI灵敏放大器 .采用Hspice软件对体硅的和新型的交叉耦合灵敏放大器进行模拟和比较 ,发现新型的交叉耦合灵敏放大器比体硅的交叉耦合灵敏放大器延迟时间缩短 30 % ,最小电压分辨可达 0 0 5V .最后 ,我们成功地将该电路应用于CMOS/SOI 6 4KbSRAM电路 ,电路存取时间仅 40ns
In this paper, a new type of SOI sense amplifier is designed by using the technology of “Smart Body Contact.” Using the Hspice software to simulate and compare the bulk silicon with the novel cross-coupled sense amplifier, a novel cross-coupled sense amplifier Cross-coupled sense amplifier than the bulk silicon delay time reduced by 30%, the minimum voltage resolution of 0 0 5V. Finally, we successfully applied the circuit CMOS / SOI 6 4KbSRAM circuit, the circuit access time of only 40ns
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