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设计人员在优化同步降压器时一直面对着种种困难，不同的MOSFET和驱动器组合给设计工作带来了千变万化的难题，开关节点上的振荡可能导致传导和辐射电磁干扰（EMI），采用不同封装和具有不同开关特性的MOSFET可能对驱动器产生负面影响。可以说，没有一种电路布局是绝对理想的，因此，设计人员必须调整MOSFET和驱动器周围的电路，并且仔细选择恰当的器件。