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制作高Q值在片集成电感一直是体硅CMOS射频集成电路工艺中的一大难点,文章讨论和分析了体硅RF IC工艺中提高在片集成电感Q值的几种常用方法,这些方法都与CMOS工艺兼容.
体硅CMOS射频集成电路中高Q值在片集成电感的实现
【摘 要】
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制作高Q值在片集成电感一直是体硅CMOS射频集成电路工艺中的一大难点,文章讨论和分析了体硅RF IC工艺中提高在片集成电感Q值的几种常用方法,这些方法都与CMOS工艺兼容.
【机 构】
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中国科学院微电子中心
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2003年1期
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