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ZnO是一种重要的宽禁带半导体材料,室温下带隙宽3.37eV,激子结合能高达60meV,在短波激光器、太阳能电池、压电材料、发光照明材料等方面具有广泛的应用前景[1].一维ZnO纳米材料具有高的长径比、良好的物理化学等性能,其合成备受关注.目前,制备一维ZnO纳米材料的方法很多,大多基于V-L-S或V-S机制.本工作在较低温度下利用热氧化Zn纳米晶的方法制备出了一维的ZnO纳米针,并对其显微结构特征、生长机理和场发射性质进行了研究。